살다보면...

귀중한 시간을 사용하는 세 가지 방법

현재 속에 살기
행복과 성공을 원한다면 바로 지금 일어나는 것에 집중하라.
소명을 갖고 살면서 바로 지금 중요한 것에 관심을 쏟아라.

과거에서 배우기
과거보다 더 나은 현재를 원한다면
과거에 일어났던 일을 돌아보라.
그것에서 소중한 교훈을 배워라.
지금부터는 다르게 행동하라.

미래를 계획하기
현재보다 더 나은 미래를 원한다면
멋진 미래의 모습을 마음속으로 그려라.
그것이 실현되도록 계획을 세워라.
지금 계획을 행동으로 옮겨라.

- 스펜서 존슨 <선물> 중에서 -

나의 본관은 창원黃씨이며 6.25때 족보가 유실되었다는 아버님의 말씀만 있었고, 그 동안 계파를 모르다가 학렬을 근거로 찾아본 계파는 황석기로 시조로하는 공희공파이다.
나의 할아버지는 周자 돌림이시고, 나의 아버지는 祐자 돌림이시며, 나는 益자 돌림이고, 아들은 寅자 돌림이다.

황씨는 중국 강하 백익의 후예로 전하며, 우리나라 황씨의 연원은 [조선씨족통보]에 다음과 같이 기록되어 있다.
서기 28년(신라 유리왕 5, 한나라 광무제 건무 4) 후한의 유신 황락이 사신으로 교지국으로 가던 중 풍랑을 만나 신라의 땅인 평해에 표착하여 그곳에 자리를 잡고 살며 스스로 [황장군]이라 일컬었으며, 아들 3형제중

맏아들 갑고가 기성군에 봉해져서 평해황씨의 시조가 되었고,
둘째 을고는 장수군에 봉해졌으므로 장수황씨의 시조가 되었다고 하며,
세째 아들인 병고는 창원백에 봉해져서 창원황씨의 시조가 되었다.

이러한 황씨의 본관은 평해, 장수, 창원, 상주, 회덕, 덕산, 우주, 황주 등으로 하여 184본이 문헌에 전하고 있으나, 현존하는 황씨는 20본 미만이며 그중에서 창원, 평해, 장수, 상주가 대본이다.

그러나 인구가 가장 많고 역사상 훌륭한 인물을 가장 많이 배출한 창원황씨는 계보를 달리하는 시중공파, 공희공파, 호장공파가 있으나 아직 정확한 계대를 밝히지 못하고 있다.

황씨는 고려 말엽에서부터 조선 전반기에 주로 많은 인물을 배출하여 가문을 빛냈으며,
특히 대제학 2명과 부자 영의정을 배출한 장수황씨와 문과 급제자가 으뜸인 창원황씨가 빼어났고,
다음이 상주, 평해, 제안, 덕산, 회덕, 우주, 황주 순이다.

창원황씨(昌原黃氏)는 본관을 같이 하면서도 계보를 달리하는 3파가 있다.

이른바 <토황(土黃)>이라하여 고려조에서 문하시중을 지낸 황충준(黃忠俊)을 시조로 하고, 의 후손 황신(黃信)을 1세조로하는 시중공파(侍中公派)와 공희공(恭僖公) 황석기(黃石奇)를 시조로 하고 <당황(唐黃)>이라 일컬어지는 공희공파(恭僖公派), 그리고 고려조에서 호장을 지낸 황양충(黃亮沖)을 시조로 하는 호장공파(戶長公派)가 그것이다.
이들 3파간의 상호 관계에 대해서는 아직 뚜렷하게 밝혀진 것이 없으며 따라서 족보도 따로따로 편찬하고 있는 실정이다.

다만 한가지 분명한 사실은 원나라에서 귀화한 것으로 알려진 까닭에 <당황>이라 불리는 공희공파의 시조 황석기가 원래 우리나라 사람이었다는 점이다. 종래에는 그가 원나라 사람으로서 고려 공민왕때 노국공주를 배행하고 고려에 온 것으로 전해져 왔었으나 이미 그보다 20년 전에 고려에서 여러 벼슬을 지내고 조적의 난을 토평하는 등 크게 활약한 사실이 <고려사(高麗史)>에 뚜렷이 기록되어 있어 원래 원나라 사람이 아니었음을 뒷받침하고 있다.

참고 : 한국창원황씨중앙종친회

http://www.hwangkorea.com/in.php

FET란 전계효과트랜지스터(Field effect transistor)를 가르키는 말인데 FET는 일반적인 접합트랜지스터와 외관은 거의 유사하지만 내부구조와 동작원리는 전혀 다른 것입니다. FET는 각종 고급 전자기계와 측정장비, 자동제어회로 등에 이용되고 있습니다.

이와같은 FET는 구조에 의해 분류하면 접합FET(J-FET)와 MOS FET의 두 종료가 있으며 이것들은 각각 전류의 통로가 P형 반도체로 된 P체널형과 전류의 통로가 N형 반도체로 된 N체널 형이 있습니다.

P체널형은 정공이 전류를 운반하는 것으로 PNP형 TR과 비슷하고 N체널형은 전자가 전류를 운반하는 것으로 NPN형의 TR과 비슷합니다.

:: P체널형 접합 FET

위의 그림은 P체널 접합 FET의 구조입니다. 이것은 P형 반도체의 측면에 N형 반도체를 접합하고 P형 반도체의 양단과 측면에 부착된 N형 반도체로부터 각각 리드를 내놓은 것인데 측면에 나온 리드는 게이트(G: Gate)이고 P형 반도체의 양단에서 나온 두개의 리드중 한쪽은 소스(S: Source)라 하며 다른 한쪽은 드레인(D : Drain)이라고 합니다.

위의 그림의 우측은 P채널 접합 FET를 나타내는 기호입니다. 게이트에 표시된 화살표는 게이트 접합부의 순방향을 나타낸 것으로 P채널 형임을 알려 주는 것입니다.

화살표가 TR에서 밖으로 나오는 방향으로 있을때는 P체널 형이고, 밖에서 TR쪽으로 들어가는 방향일때는 N체널 형입니다.

FET가 동작할 때는 드레인과 소스간에 전류가 흐르는데 위의 그림에서는 전류가 흐르는 통로가 P형 반도체로 되어 있기 때문에 P체널 형이라고 합니다. FET의 명칭 가운데서 2SJ11, 3SJ11등과 같이 J형으로 되어 있는 트랜지스터는 P체녈 형의 FET입니다.

위의 그림과 달리 게이트가 2개로 되어 있는 경우도 있습니다. 게이트가 2개로 되어 있는 것은 2개의 게이트가 내부에서 연결되어 있지 않고 개별적으로 나와있는 것입니다.

:: N체널형 접합 FET

위의 그림은 N형 반도체의 측면에 P형 반도체를 접합하고 N형 반도체의 양단과 측면에 있는 P형 반도체로부터 각각 리드를 내놓은 것인데 이것은 N체널 접합 FET입니다.
FET의 명칭 가운데서 2SK11, 3SK14등과 같이 K형으로 되어 있는 트랜지스터는 N체녈 형의 FET입니다.

:: MOS FET

위의 그림은 MOS(Metal Oxide Semiconductor)형 FET의 구조입니다. P형 반도체의 기판에 N형 반도체를 만들고 N형 반도체의 표면에 알루미늄으로 된 게이트를 부착시킨 것인데 N형 반도체와 게이트사이에는 실리콘 산화물의 엷은 막을 형성시켜서 절연도가 매우 높게 하였습니다.

위의 그림의 좌측에는 N형 반도체 양단에서 나온 두개의 리드중 한쪽은 드레인이고 다른 한쪽은 소스인데 이와같은 구조로 된 것을 디플레이션(depletion)형 MOS FET이라고 합니다.

그림 중간의 것은 인핸스먼트(enhancement)형 MOS FET라고 하는 것의 구조도로, 이것은 N체널이 없는 것으로 되어있으나 동작시에는 실리콘산화물의 엷은 막 옆에 N체널이 형성됩니다.

FET와 접합 트랜지스터를 비교하면 FET의 드레인은 TR의 콜렉터와 같고, 소스는 이미터와 같으며, 게이트는 베이스와 같습니다. 그리고 P체널형은 PNP형과 비슷하고 N체널형은 NPN형 TR과 비슷하기 때문에 PNP형 TR의 콜렉터에 -전압을 공급하는 것과 마찬가지로 P체널 FET의 드레인에는 -의 전압을 공급하고, NPN형 TR의 콜렉터에 +전압을 공급하는 것 처럼 N체널 FET의 드레인에는 +전압을 공급해야 합니다.

:: FET의 동작원리

위의 그림과 같이 N체널 접합 FET의 드레인과 소스에 드레인이 +가 되는 방향으로 전압을 공급하면 (이것을 드레인 전압이라고 함) N형 반도체 내에 산재하여 있는 과잉전자가 소스전극에서 드레인전극 측으로 이동하여 드레인 전류 I_D가 흐릅니다.

이 때 아래의 그림과 같이 게이트와 소스간에 역방향 전압을 공급하면(이것을 게이트전압이라고 함) 게이트의 -전압에 의해 N체널 내에 전자가 반발당하여 공핍층이 생깁니다. 이때 생긴 공핍층은 전자가 없는 부분으로 절연영역이므로 전자가 이동할 수 있는 통로(체널)가 좁아져서 드레인전류 I_D는 감소합니다. 여기에서 만약 역방향 전압을 더욱 증가시킨다면 통로는 더욱 좁아져서 I_D는 더욱 감소하게 됩니다.

크리스탈(X-TAL)은 수동 발진자고 오실레이터(OSC)는 능동 발진자이다.

오실레이터는 발진 회로가 내장되어 있으므로주변 회로가 간단하지만, 크리스탈은 발진 회로를 구성해야 하고 특히 수십Mhz 이상인 경우는 overtone 발진을 해야 한다.

그러므로 판단 기준은

1. X-TAL 발진 회로가 내장된 IC를 사용하는 경우는 X-TAL을 사용한다.

2. 정밀한 주파수가 필요할 때 - 예를 들어 주파수 카운터, PLL, TIMER 등에 사용하는 경우는 X-TAL을 사용하고 콘덴서 대신 트리머를 사용하여 주파수 미세 조정을가능하게 한다.

3. 대량 생산인 경우는 COST면에서 아무래도 X-TAL이 유리하므로 X-TAL + 74HC04 등으로 발진 회로를 구성하는 것이 OSC보다 LOW COST가 된다.

그 외의 경우라면 OSC를 사용하면 된다.

1. 발진회로를 꾸밀 자신이 없는 경우

2. 가격보다 신뢰성을 원할 때

3. 수십Mhz 이상의 발진 주파수가 필요할 때

서로의 장단점은 있는데, 오실레이터는 주변 회로가 필요 없고, 꼽아 사용하면 되므로 매우 편리하지만 가격이 다소 높고, 주파수를 조정할 수 없다. 반면 크리스탈은 발진 회로가 필요한 대신 저렴하고, 트리머를 사용하여 미세한 주파수 조정이 가능하다.  이런 면에서 정확한 주파수를 맞추는 것이 필요한 부분은 오실레이터보다 크리스탈에 트리머를 사용하는 경우가 많다.물론 항온조 내장형 오실레이터의 경우는 매우 정밀하고, 주변 온도에 영향을 받지 않는 정확한 주파수를 발생시킨다. 물론 가격은 매우 비싸다.

crystal은 두께 진동에 의해 주파수가 발생한다.따라서 두께가 얇아짐에 따라 주파수가 증가한다. 이러한 crystal이 발생하는 주파수는 fund, 3rd, 5rd....와 같은 주파수 대역을 가지고 있는데, 이는 어떤 주파수를 이용하느냐에 따라 달라진다. 예를 들어 20MHz를 발생하는 두께를 가진 crystal의 경우는 사실상 20, 60, 100MHz 대역의 주파수를 발생하고 있는 것이다. 여기에서 20MHz를 이용하면 fund이고 60MHz를 이용하면 3rd가 되는 것이다. 가장 안정적으로 발진을 할 수 있는 주파수는 fund를 이용한 주파수 이지만 두께 진동을 하는 crystal은 주파수가 높아지면 두께가 얇아져 가공 및 제작하기가 힘들어진다. (fund 고주파수가 가격이 높은 이유가 여기에 있다.)
이와 같은 이유로 두께는 fund 두께와 동일하면서 주파수는 3배나 높은 3rd 세력을 이용하여 crystal을 만든다. 현재는 연마 및 가공 기술이 발달하여 3rd라 할 지라도 안정적으로 발진을 할 수 있으며(물론 fund 비해 약간은 떨어지지만)사용할 때는 주변의 발진 회로와 안정성, 가격적인 측면을 고려하여알맞는 crystal spec을 정할 수 있다.

발진회로를 만들때 크리스탈은 다른 소자 등이 필요하고 오실레이터는 그 자체로 모든 발진회로가 구성되어있다. 전원만 넣어주면 된다.

1. 오실레이터 핀 구성 및 구조

1pin - 종류마다 다른긴 한데,,, 인에이블 디스에이블로 또는 사용안함

2pin - GND

3pin - 출력

4pin - VCC

오실레이터 네핀중 세핀이 사용됩니다. 일반 IC를 보듯이 점이 있는곳을 1번핀이라 두고 4번핀에 전원 2번핀에 GND를 연결하면 3번핀에서 클럭이 나옵니다.

OSC 제조업체 스펙 [신형전자 http://www.shinhyung.net/pro02.htm]

2. 크리스탈 핀 구성도

1pin - 발진회로가 없으멵 74hc04 입력 또는 출력에 연결

2pin - 1pin 이 74hc04입력에 연결했으면 2pin 은 출력에 연결하고 출력에 연결했으면 입력에 연결한다.(크리스탈은 1,2 구분은 없습니다)

MCU 와 같이 발진회로가 내장되었는 경우 특별히 74hc04와 같은 ic 는 사용할 필요는 없습니다. 그냥 단자에 연결하시고 캐패시터등을달아서 사용하시면 됩니다.

크리스탈(X-TAL)과 오실레이터(OSC)는 모두 수정편을 이용한 발진 소자이다. 다만 크리스탈은 수정편 자체이고, 오실레이터는 발진 회로를 내장하여 전원만 넣어주면 파형이 나오도록 만든 것이다.